Транзисторная MOSFET-сборка ZXMN2A01E6
(Онлайн справочник радиолюбителя)
ZXMN2A01E6 представляет собой один N-канальный MOSFET-транзистор в корпусе SOT-23-6.
Производитель микросхемы - Diodes Incorporated.
Назначение выводов:
- G (Gate) - затвор транзистора;
- D (Drain) - исток транзистора;
- S (Source) - сток транзистора;
Маркировка: 2A1 ym, где:
y - код года выпуска;
m - код месяца выпуска;
Характеристики ZXMN2A01E6:
Максимальное напряжение сток-исток 20 В;
Максимальный ток сток-исток 3.1 A;
Максимальное напряжение затвор-исток ±12 В;
Сопротивление канала в открытом состоянии 0.12 Ом;
Максимальная рассеиваемая мощность 1 Вт;
Крутизна характеристики 6 S;
Напряжение открытия затвор-исток 1 В;
Время перехода в открытое состояние 2 нс;
Время перехода в закрытое состояние 7 нс;
Емкость затвор-исток 303 пф.
Область применения ZXMN2A01E6 - автомобильная электроника, компьютеры, мониторы и другая электронная техника.
Посмотреть заводскую документацию (Datasheet) на ZXMN2A01E6 можно здесь.
Мы не нашли ссылки для заказа этой транзисторной сборки, но вы можете посмотреть таблицу сборок с аналогичной цоколевкой и подобрать аналог по параметрам.
Комментарии:
Добавить комментарий: